【半導(dǎo)體測(cè)試板廠(chǎng)家】用于半導(dǎo)體測(cè)試的Pickering開(kāi)關(guān)
2021-01-21
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對(duì)于集成電路制造商來(lái)說(shuō),隨著設(shè)計(jì)規(guī)模不斷演變,幾何形狀不斷縮小以及新材料的使用,晶圓級(jí)可靠性測(cè)試變得比過(guò)去更加重要。如果晶片有缺陷或封裝的設(shè)備發(fā)生故障,這將推動(dòng)可靠性測(cè)試和建模在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)一步上游化,以減少時(shí)間、生產(chǎn)能力、金錢(qián)和材料損失。在面對(duì)要在測(cè)試較高I/O數(shù)量的情況下節(jié)省成本的難題時(shí),很多可靠性工程師會(huì)發(fā)現(xiàn)他們無(wú)法采用傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)解決方案來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題,而是傾向于選擇模塊化的靈活的解決方案通過(guò)擴(kuò)展來(lái)滿(mǎn)足他們的需求。
Pickering的 模塊化PXI和LXI開(kāi)關(guān)解決方案 被用于各種級(jí)別的半導(dǎo)體測(cè)試中,包括封裝級(jí)和晶圓級(jí)測(cè)試,開(kāi)路和短路,電容,瞬態(tài)電荷捕獲的I/V測(cè)試和SCPT(單電荷脈沖陷阱)。
我們用于半導(dǎo)體測(cè)試的開(kāi)關(guān)解決方案具有以下特點(diǎn):
查閱我們最近的成功案例:
采用Pickering的高密度LXI矩陣模塊進(jìn)行半導(dǎo)體封裝的開(kāi)路和短路測(cè)試 >>
下方列出了我們的半導(dǎo)體測(cè)試模塊化開(kāi)關(guān)解決方案的一些示例
產(chǎn)品 | 特點(diǎn) |
高密度LXI舌簧繼電器矩陣
(65-221系列)  | 模塊化矩陣設(shè)計(jì),具有4條Y軸連接 用戶(hù)可通過(guò)插入額外的卡自行配置X軸的尺寸,最多允許6144個(gè)節(jié)點(diǎn) 十二或六條模擬總線(xiàn) 采用最高品質(zhì)的釕合金舌簧繼電器實(shí)現(xiàn)在低平或高開(kāi)關(guān)速度下最高的穩(wěn)定性 內(nèi)置帶有觸發(fā)功能的掃描列表序列存儲(chǔ) 可被我們的診斷檢測(cè)工具所支持:
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高密度單刀LXI矩陣模塊 (60-553系列)  | 單刀高密度矩陣,最多可具有4096個(gè)節(jié)點(diǎn) 兩條模擬總線(xiàn) 矩陣尺寸從256×4到1024×4 可同時(shí)閉合的節(jié)點(diǎn)數(shù)量最多1027個(gè) 開(kāi)關(guān)電壓最高150VDC/100VAC,功率最大60W 開(kāi)關(guān)電流最大2A 可被我們的診斷檢測(cè)工具所支持
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BRIC™超高密度PXI矩陣模塊 (40-558系列)
| 超高密度0.5A矩陣,每個(gè)模塊最多具有6,144個(gè)節(jié)點(diǎn) 集成的PXI模塊帶有內(nèi)置的高性能屏蔽模擬總線(xiàn) 自動(dòng)隔離繼電器開(kāi)關(guān)最大程度提高帶寬和矩陣可靠性 采用高可靠性的釕合金舌簧繼電器最大程度提高性能 有幾種模擬總線(xiàn)的規(guī)格可供選擇C:6、8、12 和 16 刀帶有雙模擬總線(xiàn)的配置可供選擇 3U PXI模塊具有2、4 和 8-槽三種類(lèi)型 可被我們的診斷檢測(cè)工具所支持:
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高密度單槽PXI矩陣模塊 (model 40-584)  | 高密度單槽3U PXI 2A矩陣具有256個(gè)節(jié)點(diǎn) 128x2、64x4、32x8 和 16x16 幾種尺寸可供選擇 熱切換或冷切換的最大電流為2A 開(kāi)關(guān)電壓最高300VDC/250VAC,功率最大60W 采用鍍金觸點(diǎn)的電磁繼電器 可被我們的診斷測(cè)試工具所支持:
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高密度單槽PXI舌簧繼電器模塊 (40-54x系列)  | 最高密度的單槽3U PXI舌簧繼電器矩陣模塊,具有528個(gè)節(jié)點(diǎn) 采用部分填充的配置,最大程度地減少了成本 —— 該系列所有型號(hào)都采用這種配置 開(kāi)關(guān)電壓最高150V,電流最大0.5A,功率最大10W 操作速度快,<300ms 可被我們的eBIRST開(kāi)關(guān)系統(tǒng)檢測(cè)工具所支持
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