半導(dǎo)體是指在常溫下電導(dǎo)性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子、通訊系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。例如，二極管就是由半導(dǎo)體制成的器件。半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程如下：包括晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試。半導(dǎo)體封裝測(cè)試是指根據(jù)產(chǎn)品型號(hào)和功能要求對(duì)被測(cè)晶圓進(jìn)行加工獲得獨(dú)立芯片的過(guò)程。

1. 半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)介紹

半導(dǎo)體是指在常溫下電導(dǎo)性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子、通訊系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。例如，二極管是由半導(dǎo)體制成的器件。半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程如下：包括晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試。半導(dǎo)體封裝測(cè)試是指根據(jù)產(chǎn)品型號(hào)和功能要求對(duì)被測(cè)晶圓進(jìn)行加工獲得獨(dú)立芯片的過(guò)程。

隨著技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體芯片晶體管的密度越來(lái)越高，相關(guān)產(chǎn)品的復(fù)雜度和集成度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。這對(duì)芯片設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)來(lái)說(shuō)是前所未有的挑戰(zhàn)。另一方面，隨著芯片開(kāi)發(fā)周期的縮短，流片成功率非常高，任何失敗都是企業(yè)難以承受的。為此，在芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)過(guò)程中，需要進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試。此外，半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷提升，需要大量的技術(shù)挑戰(zhàn)，測(cè)試變得更加重要。那么，半導(dǎo)體封裝評(píng)估會(huì)用到哪些設(shè)備呢？

2. 半導(dǎo)體封裝評(píng)估設(shè)備

(1) 減薄機(jī)

由于制造工藝的要求，對(duì)晶圓的尺寸精度、幾何精度、表面清潔度和表面微晶格結(jié)構(gòu)提出了很高的要求。因此，在數(shù)百個(gè)工藝流程中，只能使用一定厚度的晶圓進(jìn)行轉(zhuǎn)移和流片。通常，在集成電路封裝前，需要將芯片背面多余的基材去除至一定厚度。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為晶圓背面減薄工藝，對(duì)應(yīng)的設(shè)備是晶圓減薄機(jī)。減薄機(jī)通過(guò)減薄/研磨對(duì)晶圓基板進(jìn)行減薄，以提高芯片的散熱效果。減薄到一定的厚度有利于后期的封裝工藝。

(2) 四探針

測(cè)量不透明薄膜的厚度。由于不透明薄膜無(wú)法利用光學(xué)原理進(jìn)行測(cè)量，因此采用四探針儀器測(cè)量薄層電阻，根據(jù)薄膜厚度與薄層電阻的關(guān)系間接測(cè)量薄膜厚度。方形電阻可以理解為硅片上方形薄膜兩端之間的電阻。它與薄膜的電阻率和厚度有關(guān)，與方形薄膜的大小無(wú)關(guān)。四探針使四個(gè)探針等距放置在一條直線上依次接觸硅片，在外側(cè)的兩個(gè)探針之間施加已知電流，同時(shí)測(cè)量?jī)?nèi)側(cè)的兩個(gè)探針之間的電位差，從而可以得到薄層電阻值。