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IC 封裝基板設(shè)計(jì):技術(shù)突破與國(guó)產(chǎn)替代之路
2025-06-13
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一、高密度互連設(shè)計(jì):從微米級(jí)布線到三維集成的技術(shù)躍遷

IC 封裝基板作為連接芯片與外部電路的核心載體,其設(shè)計(jì)能力直接決定先進(jìn)封裝技術(shù)的落地可行性。在 Chiplet 異構(gòu)集成、HBM 存儲(chǔ)芯片等新興需求驅(qū)動(dòng)下,基板設(shè)計(jì)正從傳統(tǒng)的平面布線向3μm 線寬 / 線距20 層以上高多層結(jié)構(gòu)玻璃基板等方向迭代。以高性能計(jì)算芯片封裝為例,基板需支持多芯片間2μm 級(jí)布線精度與硅通孔(TSV)垂直互連,層間對(duì)準(zhǔn)精度要求 < 75μm,微孔加工(直徑 < 50μm)與電鍍填孔工藝成為實(shí)現(xiàn)盲孔互連的關(guān)鍵。國(guó)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)通過改良型半加成法(mSAP)與激光鉆孔技術(shù),已實(shí)現(xiàn) ABF 載板80% 以上良率,16 層服務(wù)器級(jí)基板通過頭部客戶認(rèn)證。

IC 封裝基板多層結(jié)構(gòu)示意圖,展示 3μm 線寬的線路層與絕緣層交替排列,微孔垂直互連設(shè)計(jì),背景為實(shí)驗(yàn)室操作臺(tái)面。

二、材料創(chuàng)新與性能平衡:從 BT 樹脂到玻璃基板的演進(jìn)路徑

ABF 載板:作為 FC-BGA 封裝的核心材料,ABF 樹脂薄膜厚度 < 10μm,支持 3μm/3μm 超精細(xì)線路,其技術(shù)壁壘主要體現(xiàn)在材料供應(yīng)與增層工藝。國(guó)內(nèi)企業(yè)通過CBF 積層絕緣膜技術(shù)突破,逐步實(shí)現(xiàn)材料自主化,推動(dòng) ABF 載板成本降低與產(chǎn)能提升。

陶瓷基板氮化鋁(AlN)熱導(dǎo)率達(dá) 320 W/m?K,適用于功率器件與航空航天領(lǐng)域;新型玻璃基板憑借  低熱膨脹系數(shù)(CTE<3ppm/℃)與納米級(jí)表面平坦度,正成為 Chiplet 中介層的潛力材料。

散熱設(shè)計(jì)創(chuàng)新:針對(duì) AI 芯片的高熱流密度需求,基板通過金屬基板(銅合金)、均熱板(Vapor Chamber 及微通道液冷集成技術(shù),可將芯片結(jié)溫降低 10-15℃,滿足數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的高負(fù)載需求。

ABF 載板量產(chǎn)流水線實(shí)拍,呈現(xiàn) mSAP 工藝壓合與激光鉆孔工序,工人監(jiān)控設(shè)備運(yùn)行,體現(xiàn)高多層基板制造流程。

三、國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程:從技術(shù)跟跑到局部領(lǐng)先的關(guān)鍵突破

在全球 IC 載板市場(chǎng)由日、韓、臺(tái)企業(yè)主導(dǎo)的格局下(前十大廠商份額超 80%),國(guó)內(nèi)企業(yè)通過工藝創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同實(shí)現(xiàn)快速追趕:

高多層基板:國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)已攻克 20 層以上 FC-BGA 基板,應(yīng)用于 5G 基站核心模塊,打破日企的壟斷。

材料國(guó)產(chǎn)化ABF 膜、BT 樹脂等關(guān)鍵材料的本土供應(yīng)能力顯著提升,部分產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際水平,助力封裝基板成本下降 30% 以上。

? 設(shè)備與工藝LDI 激光直接成像、AOI 自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)等設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率逐步提高,推動(dòng)量產(chǎn)效率與良率優(yōu)化。

Flip Chip 倒裝芯片與封裝基板互連細(xì)節(jié),顯示微米級(jí)焊點(diǎn)與信號(hào)傳輸路徑,背景為藍(lán)色電路板基底

四、行業(yè)趨勢(shì)與市場(chǎng)機(jī)遇:Chiplet 3D 封裝驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)革新

1. Chiplet 標(biāo)準(zhǔn)化與基板適配UCIe 聯(lián)盟推動(dòng)的 Chiplet 互連接口,要求基板支持跨廠商芯片接口互聯(lián)與熱膨脹系數(shù)精準(zhǔn)匹配。例如,液冷集成基板通過微通道散熱設(shè)計(jì)解決 3D 堆疊芯片的熱管理難題,單塊基板價(jià)值量超 500 美元。

2. 3D 封裝技術(shù)演進(jìn)

扇出型封裝(FOWLP:基板向超薄化(厚度 < 0.2mm)、大尺寸(12 英寸以上)發(fā)展,支持多芯片異構(gòu)集成;

混合鍵合(Hybrid Bonding:通過銅 - 銅直接鍵合替代焊球,要求基板布線精度提升至 1μm 級(jí),推動(dòng)玻璃中介層技術(shù)落地。

1. 市場(chǎng)需求爆發(fā)AI 服務(wù)器、自動(dòng)駕駛芯片等新興領(lǐng)域拉動(dòng) ABF 載板需求,預(yù)計(jì) 2027 年全球市場(chǎng)規(guī)模將突破 223 億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率 5.1%。

3D 封裝技術(shù)示意圖,多芯片堆疊通過 TSV 硅通孔互連,搭配微通道散熱結(jié)構(gòu),呈現(xiàn) Chiplet 異構(gòu)集成場(chǎng)景。

IC 封裝基板設(shè)計(jì)正從 跟隨封裝需求轉(zhuǎn)向 引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新,在材料革新、工藝突破與國(guó)產(chǎn)替代三大賽道上,國(guó)內(nèi)企業(yè)已展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)能。如需獲取 ABF 載板設(shè)計(jì)解決方案或高多層基板量產(chǎn)工藝細(xì)節(jié),可聯(lián)系 [愛彼電路] 技術(shù)團(tuán)隊(duì),共同探索先進(jìn)封裝的無(wú)限可能。