多層陶瓷電路板以氧化鋁、氮化鋁、玻璃陶瓷為基材，利用同質(zhì)共燒或低溫共燒工藝，將導(dǎo)電層、介質(zhì)層、阻抗控制層疊合在數(shù)十甚至上百層內(nèi)部空間，構(gòu)成高密度互連網(wǎng)絡(luò)，高頻損耗低，熱擴(kuò)散快，適配芯片直接鍵合與系統(tǒng)級(jí)封裝，已成為航空航天、毫米波通信、電動(dòng)車功率模塊的首選基板。其物理致密度達(dá)到98%以上，熱導(dǎo)率可達(dá)170 W/m·K，耐受–55 ℃至250 ℃循環(huán)，應(yīng)力微裂概率低于10 ppm，保障器件長(zhǎng)時(shí)穩(wěn)定。產(chǎn)業(yè)鏈從陶瓷粉體成球、帶材流延、絲網(wǎng)印刷、層壓、脫脂、燒結(jié)到后段研磨、金屬化、化學(xué)鍍鎳金，形成嚴(yán)密閉環(huán)，材料工程、機(jī)械加工、電子設(shè)計(jì)規(guī)則深度交叉，技術(shù)壁壘高。

在設(shè)計(jì)階段，工程師關(guān)注介質(zhì)常數(shù)、損耗角和熱膨脹系數(shù)匹配，陶瓷基板須與GaN、SiC、GaAs芯片保持±1 ppm/K熱膨脹差，避免焊點(diǎn)疲勞；微波段走線寬高比按3D仿真確定，使|S??|低于–20 dB。信號(hào)層與接地層通過(guò)貫通孔電鍍銅實(shí)現(xiàn)屏蔽，最小通孔直徑40 μm，層間錯(cuò)位誤差<15 μm。阻抗控制采用厚膜銀鈀漿或銅漿，多次回流燒結(jié)后方差控制在3 Ω以內(nèi)。電源層疊中埋吸熱腔體，結(jié)合DBC銅塊，大幅降低結(jié)溫，提高模塊壽命。

制造方面，低溫共燒陶瓷（LTCC）流程以玻璃粉輔助，燒結(jié)溫度850–900 ℃，可與銀漿共燒；高溫共燒陶瓷（HTCC）以Al?O?粉加TiO?助燒，溫度1550–1600 ℃，機(jī)械強(qiáng)度高。流延制成的綠帶厚度控制在50 μm，激光鉆孔形成通孔，再經(jīng)絲網(wǎng)印刷填充導(dǎo)電漿；多層對(duì)位環(huán)境濕度<45%，層壓壓力8–10 MPa，真空脫脂防氣泡；燒結(jié)升溫速率1–3 ℃/min，恒溫時(shí)間依結(jié)構(gòu)而定。后段研磨去除翹曲，表面粗糙度Ra 0.2 μm，為后續(xù)真空釬焊提供親合界面。若采用銅漿或厚銅層，則需氫氣還原及惰性氣體燒結(jié)，接著電鍍Ni/Au或Ag，兼顧鍵合強(qiáng)度與焊錫潤(rùn)濕性。

可靠性驗(yàn)證覆蓋熱沖擊1000 次、電瞬態(tài)、機(jī)械振動(dòng)30 g、交變濕熱85 ℃/85%RH 1000 h，剖面X-ray評(píng)估共燒缺陷，SAM檢測(cè)層間分層，焊料疲勞以IPC-9701標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。對(duì)航空電子，必須額外通過(guò)微震動(dòng)譜實(shí)驗(yàn)與真空加速壽命試驗(yàn)；對(duì)醫(yī)療植入，需ISO 10993生物相容性測(cè)試。

應(yīng)用端正在快速擴(kuò)展。毫米波天線陣列借助多層陶瓷電路板內(nèi)嵌相移網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)28 GHz到60 GHz低波束散射；電動(dòng)車硅碳MOS功率模塊使用多層陶瓷電路板替代DBC功率基板，使晶閘管結(jié)溫下降12 ℃；雷達(dá)收發(fā)機(jī)將低噪聲放大器、移相器、PA和電源-地層共封裝于40 × 40 mm模塊，重量降低35%。在高能激光、電源轉(zhuǎn)換、量子計(jì)算控制芯片等場(chǎng)景，多層陶瓷電路板正替代金屬基板，成為高功率密度器件散熱核心。

市場(chǎng)層面，全球多層陶瓷電路板規(guī)模2024年突破38 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率12.6%，其中亞太占比65%。中國(guó)大陸擁有從粉體到整機(jī)的完整供應(yīng)鏈，但高端銀鈀漿料、氮化鋁高導(dǎo)陶瓷依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)替代已進(jìn)入中試；美國(guó)與日本保持材料和裝備先發(fā)優(yōu)勢(shì)，細(xì)分市場(chǎng)中型企業(yè)通過(guò)專利封鎖維持溢價(jià)。投資重點(diǎn)聚焦超薄氮化鋁帶材制備、高散熱金屬化方案及智能檢測(cè)裝備。標(biāo)準(zhǔn)方面，IEC正在修訂多層陶瓷電路板可靠性等級(jí)，與IPC-4101結(jié)合，未來(lái)料將納入汽車電子AEC-Q200體系。

技術(shù)趨勢(shì)顯示，LTCC與有機(jī)樹(shù)脂協(xié)同封裝（HLCC）起步，兼具陶瓷高頻與樹(shù)脂柔性；無(wú)氧銅直接燒結(jié)至AlN表面，提高界面熱阻穩(wěn)定性；三維微結(jié)構(gòu)打印將復(fù)雜空腔、冷卻通道直接集成于多層陶瓷電路板，制程更短，設(shè)計(jì)自由度更大。Chiplet異構(gòu)集成需要高密度垂直互連，20 μm-30 μm孔徑乃至激光成型金屬柱正在實(shí)裝。綠色制造方面，循環(huán)回收粉體、高溫爐余熱利用成為節(jié)能重點(diǎn)，燒結(jié)過(guò)程碳排核算體系正納入ESG報(bào)告。

隨著射頻器件功率密度持續(xù)飆升與汽車電氣化加速，多層陶瓷電路板憑借優(yōu)異介電性能、散熱能力、機(jī)械強(qiáng)度，將在集成電路先進(jìn)封裝與功率電子領(lǐng)域扮演不可替代角色，材料工程、設(shè)備工藝、設(shè)計(jì)軟件三方協(xié)同，行業(yè)壁壘日趨提升，創(chuàng)新窗口正迅速關(guān)閉。多層陶瓷電路板將繼續(xù)驅(qū)動(dòng)下一代高可靠、高頻、高散熱電子系統(tǒng)躍遷。